Analysatoren

Eigenschaften BJT JFET E-IGBT D-IGBT E-MOS D-MOS Unterstützte Komponenten: Widerstände Spulen Kondensatoren Dioden Automatische Abschaltung Anzeige PIN-Layout Technische Daten Abmessungen: 137 x 60 x 30 (B x L x H) Auflösung des Widerstands: 0.1 Ohm (max. 50 MOhm) Kapazität: 28 pF bis 100 mF Induktivität: 0.01 mH bis 20 H Leerlaufstrom: 20 nA Stromversorgung: 9 V Batterie Teststrom: 20 mA Testgeschwindigkeit: 2 Sekunden

Lesen (+) (–)